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元件参数资料
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参数目录40329
> SI1903DL-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 20V 410MA SC70-6
型号:
SI1903DL-T1-GE3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 410MA SC70-6
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
SI1903DL-T1-GE3 PDF
产品目录绘图
DL-T1-E3 Series SOT-363
标准包装
3,000
系列
TrenchFET®
FET 型
2 个 P 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
410mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
995 毫欧 @ 410mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
1.8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
270mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装
SC-70-6
包装
带卷 (TR)
其它名称
SI1903DL-T1-GE3TR
查看SI1903DL-T1-GE3代理商
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